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    1. 感應(yīng)加熱設(shè)備廠家
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      信息編輯:鄭州高氏   發(fā)布時間:
      感應(yīng)加熱來源于法拉第發(fā)現(xiàn)的電磁感應(yīng)現(xiàn)象,也就是交變的電流會在導(dǎo)體中產(chǎn)生感應(yīng)電流,從而導(dǎo)致導(dǎo)體發(fā)熱。以下是感應(yīng)加熱發(fā)展的幾個階段:

      ①1890年瑞典技術(shù)人員發(fā)明了第一臺感應(yīng)熔煉爐——開槽式有芯爐,1916年美國人發(fā)明了閉槽有芯爐,從此感應(yīng)加熱技術(shù)逐漸進入實用化階段。

      ②20世紀電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展,較大地促進了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。

      ③1957年,美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管,標志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開始,也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命.

      ④1966年,瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置,從此感應(yīng)加熱技術(shù)開始飛速發(fā)展。

      ⑤20世紀80年代后,電力電子器件再次快速發(fā)展,GTO、MOSFET、IGBT、MCT及SIT等器件相繼出現(xiàn)。

            感應(yīng)加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管,開始采用這些新器件?,F(xiàn)在比較常用的是IGBT和MOSFET,IGBT用于較大功率場合,而MOSFET用于較高頻率場合。據(jù)報道,國外可以采用IGBT將感應(yīng)加熱裝置做到功率超過1000kW,頻率超過50kHz。而MOSFET較適用高頻場合,通常應(yīng)用在幾千瓦的中小功率場合,頻率可達到500kHz以上,甚至幾兆赫茲。然而國外也有推出采用MOSFET的大功率的感應(yīng)加熱裝置,比如美國研制的2000kW/400kHz的裝置。  
           
            我國感應(yīng)熱處理技術(shù)的真正應(yīng)用始于1956年,從前蘇聯(lián)引入,主要應(yīng)用在汽車工業(yè)。隨著20世紀電源設(shè)備的制造,感應(yīng)淬火工藝裝備也緊隨其后得到發(fā)展?,F(xiàn)在國內(nèi)感應(yīng)淬火工藝裝備制造業(yè)也日益擴大,產(chǎn)品品種多,原來需要進口的裝備,逐步被國產(chǎn)品所取代,在為國家節(jié)省外匯的同時,發(fā)展了國內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。目前感應(yīng)加熱制造業(yè)的服務(wù)對象主要是汽車制造業(yè),今后現(xiàn)代冶金工業(yè)將對感應(yīng)加熱有較大需求。
       
      現(xiàn)在打造的IGBT感應(yīng)加熱設(shè)備功率有超高頻、高頻、超音頻、中頻,功率高達800KW,圖片展示如下:
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