晶體管超音頻感應(yīng)加熱設(shè)備的電源電路的基本結(jié)構(gòu)

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信息編輯：鄭州高氏發(fā)布時間：2012-10-17

        晶體管超音頻感應(yīng)加熱設(shè)備是指頻率在10~100KHZ、采用新型晶體管組成逆變電路的電源。IGBT晶體管（絕緣柵雙極晶體管）是具有代表性的晶體管。IGBT晶體管具備MOS器件的優(yōu)點：通態(tài)電壓低，高輸入阻抗，開關(guān)速度快和通流能力強等。采用這種器件構(gòu)成的逆變電路電源，稱為IGBT超音頻感應(yīng)加熱設(shè)備或者超音頻感應(yīng)加熱電源。

        IGBT并聯(lián)逆變式超音頻感應(yīng)加熱設(shè)備電源電路的基本結(jié)構(gòu) IGBT并聯(lián)逆變超音頻電源電路結(jié)構(gòu)與晶閘管并聯(lián)逆變中頻電源電路結(jié)構(gòu)相似。主要區(qū)別是逆變電路開關(guān)器件V1~V4采用了IGBT器件而不是晶閘管，但其功能是相似的。每只IGBT器件均串聯(lián)一只二極管VD1~VD4。因為IGBT器件不能承受反壓，必須串聯(lián)二極管承擔(dān)反向阻斷功能。

       電路的工作原理其工作原理與晶閘管并聯(lián)逆變中頻電源相類似，主要區(qū)別是IGBT器件的開關(guān)功能與晶閘管不同。IGBT可以看成是由輸入部分MOSFET管和輸出部分PNP三極管組成的半導(dǎo)體器件，或者是一個由MOSFET驅(qū)動的PNP晶體管。當(dāng)對IGBT器件柵極施加正向電壓時，柵極下方的P型反型成為N型導(dǎo)電溝道，MOSFET導(dǎo)通，電子電流進入N-層，給PNP晶體管提供正向基極電流，IGBT導(dǎo)通，反之，向柵極施加反向電壓，導(dǎo)電溝道消失，PNP晶體管失去基極驅(qū)動電流，IGBT關(guān)斷。柵極正、反向電壓由專門配備的驅(qū)動電路來提供。

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